創(chuàng)寶來(lái)芯知識(shí):SK海力士官宣雙重產(chǎn)能布局
發(fā)布時(shí)間:2026/2/4
SK海力士官宣雙重產(chǎn)能布局:Q2啟動(dòng)321層NAND擴(kuò)產(chǎn),同步推進(jìn)HBM4高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)
2月3日,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士正式宣布兩項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)能規(guī)劃,一方面將在2026年第二季度啟動(dòng)321層第9代NAND閃存的轉(zhuǎn)換投資,聚焦清州M15廠區(qū)產(chǎn)能提升;另一方面同步啟動(dòng)HBM4(高帶寬內(nèi)存)的“高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)”,面向核心客戶(hù)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試預(yù)計(jì)于第一季度末完成,此舉旨在強(qiáng)化其在AI存儲(chǔ)與高端閃存領(lǐng)域的雙重競(jìng)爭(zhēng)力。
在NAND閃存領(lǐng)域,SK海力士此次明確了321層第9代產(chǎn)品的產(chǎn)能落地計(jì)劃,核心聚焦韓國(guó)清州M15廠區(qū)的升級(jí)擴(kuò)容。根據(jù)官宣信息,該廠區(qū)當(dāng)前月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片晶圓,此次轉(zhuǎn)換投資完成后,月產(chǎn)能目標(biāo)將提升至3萬(wàn)片,產(chǎn)能增幅達(dá)50%。據(jù)悉,321層NAND閃存作為SK海力士的高端產(chǎn)品,具備更高集成度、更優(yōu)能效與更強(qiáng)性能,此前已成功開(kāi)發(fā)出基于該工藝的UFS 4.1移動(dòng)端解決方案及2Tb QLC NAND產(chǎn)品,此次擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步滿(mǎn)足端側(cè)AI、智能手機(jī)、AI數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級(jí)SSD等領(lǐng)域的旺盛需求,同時(shí)鞏固其在高端NAND市場(chǎng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
值得關(guān)注的是,SK海力士此次同步推進(jìn)HBM4的“高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)”,打破了傳統(tǒng)半導(dǎo)體“先完成客戶(hù)測(cè)試、再啟動(dòng)量產(chǎn)”的常規(guī)流程。所謂“高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)”,即在客戶(hù)最終質(zhì)量認(rèn)證尚未完全結(jié)束前,提前投入晶圓進(jìn)行量產(chǎn),此舉的核心原因的是HBM產(chǎn)品交付周期長(zhǎng)達(dá)約4個(gè)月,為緊跟英偉達(dá)下一代AI加速器的發(fā)布節(jié)奏,確保及時(shí)供應(yīng),SK海力士選擇主動(dòng)提速。目前,面向英偉達(dá)的HBM4產(chǎn)品測(cè)試正有序推進(jìn),預(yù)計(jì)于2026年第一季度末正式結(jié)束,測(cè)試重點(diǎn)聚焦信號(hào)時(shí)序、功耗分配與散熱配置等系統(tǒng)級(jí)封裝關(guān)鍵問(wèn)題。
作為全球HBM市場(chǎng)的龍頭企業(yè),SK海力士2025年在全球HBM市場(chǎng)占據(jù)約61%的份額,且是英偉達(dá)HBM3/HBM3E的主要供應(yīng)商,已與英偉達(dá)鎖定長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,此次拿下了英偉達(dá)下一代AI平臺(tái)“Vera Rubin”所需HBM4中約70%的供應(yīng)訂單。此次啟動(dòng)HBM4高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),既是對(duì)AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的快速響應(yīng),也是其鞏固市場(chǎng)領(lǐng)先地位的關(guān)鍵舉措。據(jù)悉,SK海力士旗下清州M15X廠區(qū)(HBM4專(zhuān)用工廠)已提前投產(chǎn),初期月產(chǎn)能約1萬(wàn)片,到2026年底有望擴(kuò)大至5.5萬(wàn)至6萬(wàn)片,與此次量產(chǎn)計(jì)劃形成產(chǎn)能協(xié)同。
業(yè)內(nèi)人士分析指出,當(dāng)前全球AI產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,AI數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)建持續(xù)推高HBM與高端NAND的需求,同時(shí)NAND市場(chǎng)供給緊張格局預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年底,價(jià)格有望維持高位。SK海力士此次同步推進(jìn)321層NAND擴(kuò)產(chǎn)與HBM4高風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),將進(jìn)一步擴(kuò)大其在兩大核心賽道的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),緩解市場(chǎng)供給緊張壓力,同時(shí)提升對(duì)全球核心客戶(hù)的交付能力。
SK海力士相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,此次雙重產(chǎn)能布局,契合公司“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商”的戰(zhàn)略定位,未來(lái)將持續(xù)加大在先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)與產(chǎn)能上的投入,依托技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張,應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與客戶(hù)需求變化,持續(xù)引領(lǐng)全球存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展方向。
掃一掃,關(guān)注我們

